최초의 트랜지스터와 이를 안정적으로 제조하는 법을 이해한 엔지니어들은 실리콘이 아니라 게르마늄을 중심으로 만들어졌다. 1954년 텍사스 인스트루먼트에서 고든 티얼의 실리콘 트랜지스터가 훨씬 더 내열성이 강하다는 것이 증명되자, 업계 전체가 실리콘으로 재편되며 게르마늄 전문성은 약 10년 만에 유효한 전문 분야이기를 멈추었다.
게르마늄 트랜지스터 전문가은(는) 더 이상 존재하지 않는다. 무엇이 이 일을 없앴고, 그 자리를 어느 직업이 가져갔는지 정리했다.
1947–1959년
진공관에서 점접촉을 거쳐 평면형 실리콘으로
바딘과 브래튼의 시연 이후 10년은 트랜지스터를 단순히 가능하게 만드는 것을 넘어 신뢰할 수 있고 제조 가능하게 만드는 데 바쳐졌다. 초기 점접촉 소자는 취약하고 불안정했다. 쇼클리의 접합형 트랜지스터와 텍사스 인스트루먼트에서 나온 고든 티얼의 실리콘 버전이 이 기술을 보청기와 휴대용 라디오 같은 실제 제품에 쓸 만큼 견고하게 만들었다. 10년이 끝날 무렵 잭 킬비와 로버트 노이스는 각자 트랜지스터 하나가 아니라 회로 전체가 반도체 한 조각 위에 존재할 수 있음을 보여주었다. 이 시대 이후의 모든 것을 가능케 한 발상이었다.
같은 시기에 벌어진 일
1947년
벨 연구소에서 최초의 트랜지스터 시연
존 바딘과 월터 브래튼이 12월 16일 작동하는 점접촉 트랜지스터를 시연하고, 몇 주 뒤 윌리엄 쇼클리의 접합형 트랜지스터 설계가 뒤따른다. 세 사람 모두 훗날 1956년 노벨 물리학상을 공동 수상한다.
1954년
최초의 상용 실리콘 트랜지스터 출시
텍사스 인스트루먼트의 화학자 고든 티얼이 최초의 실용적인 실리콘 트랜지스터를 성장시켜, 그때까지 쓰이던 게르마늄을 대체한다. 실리콘이 훨씬 높은 온도를 견디는 능력 덕분에 업계 전체가 표준으로 삼는 재료가 된다.
1958–1959년
킬비와 노이스, 독립적으로 집적회로를 발명
텍사스 인스트루먼트의 잭 킬비는 1958년 9월 게르마늄 한 조각 위에서 작동하는 회로를 시연하고, 페어차일드 반도체의 로버트 노이스는 1959년 대량 생산이 가능한 실리콘 버전으로 경쟁 특허를 출원하면서 10년에 걸친 법정 공방이 시작된다.
1965년
고든 무어, 훗날 무어의 법칙이 되는 논문 발표
무어는 일렉트로닉스 잡지 기고문에서 단 다섯 개의 데이터 포인트를 바탕으로 칩 위 부품 수가 대략 매년 두 배씩 늘어난다고 외삽하는데, 업계는 이를 자기실현적 로드맵으로 바꾸어 놓는다.
그 일은 지금 어디에 있나
컴퓨터, 휴대폰, 무기 등 거의 모든 전자기기 내부의 트랜지스터를 설계하고 제조하며, 지구상 극소수 공장만이 다룰 수 있는 초정밀 장비를 다룬다.
🔌 반도체 엔지니어 →